30W 50V GaN HEMT RF PA Amplifier RF Power Transistor untuk 5700- 5900MHz

YP40601625T adalah GaN HEMT 30 watt, yang disesuaikan secara internal, yang dirancang untuk beberapa aplikasi dengan frekuensi 4000 hingga 6000MHz, khususnya 5700- 5900MHz.Kinerja dijamin untuk aplikasi yang beroperasi dalam frekuensi yang disebutkan Tidak ada jaminan kinerja ketika bagian ini digunakan dalam aplikasi yang dirancang di luar frekuensi iniKinerja khas (pada perlengkapan Innotion): VDD = 50 Volt, IDQ = 110 mA, CW, Psat> 30W

Aplikasi dan Fitur

• Cocok untuk infrastruktur komunikasi nirkabel, radar komersial, amplifier broadband, Jammer, EMCtesting,ISM dll.
• Operasi Efisiensi Tinggi dan Linear Gain
• Paket Standar Industri Termal yang Ditingkatkan
• Proses Metalisasi Keandalan Tinggi
• Stabilitas termal yang sangat baik dan kekeruhan yang sangat baik
• Sesuai dengan pembatasan zat berbahaya (RoHS) Direktif 2002/95/EC CATATAN Penting: Urutan bias yang tepat untuk GaN HEMT Transistor Menghidupkan perangkat ON 1.Atur VGS ke pinch-off (VP) tegangan, biasanya 5 V 2. Menyalakan VDS ke tegangan pasokan nominal (50 V) 3. Meningkatkan VGS sampai arus IDS tercapai 4. Menerapkan daya input RF ke tingkat yang diinginkan Mematikan perangkat 1. Mematikan daya RF 2.Kurangi VGS ke VP, biasanya 5 V 3. Kurangi VDS menjadi 0 V 4. Matikan VGS

Catatan penting: Urutan bias yang tepat untuk Transistor GaN HEMT

Menghidupkan perangkat

1.Setel VGS ke tegangan pinch-off (VP), biasanya 5 V

2. Menyalakan VDS ke tegangan pasokan nominal (50 V)

3. Meningkatkan VGS sampai arus IDS tercapai

4.Aplikasi daya input RF ke tingkat yang diinginkan

Mematikan perangkat

1- Matikan daya RF.

2. Mengurangi VGS ke VP, biasanya 5 V

3Kurangi VDS ke 0 V 4. Matikan VGS